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特羅半導體:成立于2011年1月，是射頻（RF）和電源管理應用硅上氮化鎵（GaN-on-Si）半導體技術(shù)的先驅。先進(jìn)的專(zhuān)有技術(shù)和設備以高昂的價(jià)格顯著(zhù)降低了系統解決方案的復雜性、尺寸、重量和功耗，與Silicon解決方案相比，功率轉換性能顯著(zhù)提高。特羅半導體是一家無(wú)晶圓廠(chǎng)半導體公司總部位于美國芝加哥，在美國伊利諾伊州阿靈頓高地和印度加爾各答設有設計中心。特羅半導體的研發(fā)團隊致力于開(kāi)發(fā)利用寬帶隙技術(shù)的顛覆性解決方案，幫助客戶(hù)解決射頻和電源設計挑戰，并加快從5G蜂窩基礎設施到消費者、汽車(chē)、國防和安全等廣泛應用的上市時(shí)間。特羅半導體與領(lǐng)先的半導體鑄造廠(chǎng)和組裝廠(chǎng)合作，提供優(yōu)質(zhì)和久經(jīng)考驗的產(chǎn)品。主要產(chǎn)品：功率放大器；射頻開(kāi)關(guān)；GaN晶體管低噪放大器線(xiàn)性驅動(dòng)器；增益模塊；GaN功率晶體管。型號：TS8021N；TS8423K1；TS8728N；TS8729N；TS86436P。